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本发明涉及半导体制造，尤其是涉及一种图形化蓝宝石衬底的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：(a)在蓝宝石衬底表面涂覆形成耐刻蚀涂层；(b)在耐刻蚀涂层表面涂覆含硅光刻胶形成含硅光刻胶层，光刻形成掩膜图形；(c)在含硅光刻胶层的保护下刻蚀耐刻...
该专利属于潍坊星泰克微电子材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过潍坊星泰克微电子材料有限公司授权不得商用。

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