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一种优化体内电场的载流子增强型IGBT器件，属于功率半导体器件技术领域。本发明通过在传统载流子增强型IGBT器件的P+空穴存储层内引入栅控下等效为可变电阻的JFET结构，以此减少关断时间、降低关断损耗，获得更优的Eoff‑Vcesat折衷关...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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