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本发明公开了一种退火处理形成电荷存储结构的方法，通过退火过程，借助单层多组元金属氧化物(M)x(N)1‑x薄膜退火过程中低结晶温度M析晶、扩散和重新分布的特点，自发形成富N的(M)x(N)1‑x隧穿层/富M的(M)x(N)1‑x存储层/富N...
该专利属于安阳师范学院所有，仅供学习研究参考，未经过安阳师范学院授权不得商用。

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