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本发明公开了一种用于激发少模光纤高阶模式的光栅耦合器，包括SOI基底，SOI基底的上面是波导芯层，波导芯层具有多个刻槽，按照光栅耦合器能激发少模光纤中的LP11a模式、LP11b模式和LP21b模式，刻槽的布局是沿着光传播方向将多个刻槽分为...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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