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本发明涉及一种在半导体硅器件上化学镀Ni、Au的工艺；其工艺步骤包括配制镀镍液、配置镀金液、氯化金活化液配置、一次镀镍、镍烧结、硝酸处理、二次镀镍和镀金；采用本发明的方法在半导体硅器件上形成的Ni、Au镀层，其镀层金属细腻、均匀，镀层金属颗...
该专利属于天水天光半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过天水天光半导体有限责任公司授权不得商用。

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