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本发明公开了一种原子层化学气相沉积系统生长(MO2)x(SiO2)1‑x金属氧化物薄膜的方法，通过调节M源和Si源交替重复生长控制薄膜的厚度，通过调节M源和Si源各自的脉冲循环次数调控薄膜的组分，实现薄膜组分和厚度的控制，操作简单，可控可调...
该专利属于安阳师范学院所有，仅供学习研究参考，未经过安阳师范学院授权不得商用。

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