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本发明涉及一种用于制造由半导体材料制成的晶锭的方法，该方法包括以下步骤：在特定的拉伸条件下从含氧的第一熔融炉料中结晶第一晶锭，称为参考晶锭；测量沿参考晶锭分布的各个区域中的填隙氧浓度；在参考晶锭的各个区域中测量在参考晶锭的结晶过程中形成的热...
该专利属于法国原子能及替代能源委员会所有，仅供学习研究参考，未经过法国原子能及替代能源委员会授权不得商用。

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