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本技术涉及能够减小栅电极与源/漏电极之间的寄生电容并减小泄漏电流的半导体装置、半导体装置的制造方法、固态成像元件和电子设备。所述半导体装置包括：形成在两侧的元件隔离区域之间的第一杂质区域；栅电极，其形成在半导体基板的形成有所述元件隔离区域和...
该专利属于索尼公司所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司授权不得商用。

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