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单晶碳化硅的制造方法及收容容器技术
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文档序号:18822909
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提供一种在利用溶液生长法使单晶碳化硅生长的情况下,制造高纯度的单晶碳化硅的方法。本制造方法中,在通过溶液生长法使外延层在至少表面由SiC组成的种子材料上生长而制造单晶碳化硅的方法中,以利用二次离子质谱分析法量测的杂质浓度变得非常低的方式使单...
该专利属于东洋炭素株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过东洋炭素株式会社授权不得商用。
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