温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种用于晶硅硅片的含氧扩散方法，包括以下步骤：低温进舟、低温稳定、前氧处理、低温沉积、升温推进、高温沉积、高温含氧推进、冷却、低温后氧处理、低温出舟；本发明通过前氧处理在硅片表面形成一层均匀的氧化层作为扩散面，厚度均匀的氧化层有助于减小气流...
该专利属于润峰电力有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过润峰电力有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。