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本发明涉及一种复合型TMBS器件结构，它包括作为基片的第一导电类型浓掺衬底；在第一导电类型的浓掺衬底上设置有第一导电类型的轻掺杂外延层；在第一导电类型的轻掺杂外延层上刻蚀形成一定间距的硅沟槽阵列，在硅沟槽的下半部分硅内侧壁上形成一定厚度的S...
该专利属于江阴新顺微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江阴新顺微电子有限公司授权不得商用。

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