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本发明涉及一种形成半导体存储装置的方法。首先，提供一基底，其中一浅沟槽隔离形成于该基底而定义出多个主动区。接着，进行一第一蚀刻工艺，以形成一位线接触开口，其中该位线接触开口是对应该多个主动区中的其中一个，该位线接触开口暴露该个主动区以及该个...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。