下载气相沉积装置以及使用高纯度聚合物衍生的碳化硅的技术的技术资料

文档序号:18791348

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本发明涉及有机硅化学、聚合物衍生的陶瓷材料与方法。本发明所提供的材料与方法是为制备具有3个9、4个9、6个9以及更高纯度的聚碳氧化硅(SiOC)与碳化硅(SiC)材料。本发明还提供了气相沉积工序及其通过使用所述高纯度SiOC与SiC所得到的...
该专利属于帕里杜斯有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过帕里杜斯有限公司授权不得商用。

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