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本发明提供了一种碳化硅二极管器件，其元胞结构包括：自上而下以此设置阳极金属、p型外延层、n型漂移层、n+衬底以及阴极金属，所述p型外延层顶部设有接触槽，所述阳极金属底部设有突起部，所述接触槽与所述突起部相互匹配，本发明还提供一种碳化硅二极管...
该专利属于泰科天润半导体科技(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰科天润半导体科技(北京)有限公司授权不得商用。

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