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本发明涉及IGBT的终端结构、IGBT器件及其制造方法。IGBT的终端结构依次包括：主结、一个或多个终端环、以及截止环，所述终端结构还包括电阻性元件，所述电阻性元件电连接在所述主结、所述一个或多个终端环和所述截止环中相邻的二者之间。采用本发...该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司授权不得商用。