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本发明涉及一种高可靠性IGBT模块的封装结构及加工工艺，其结构包括上表面图形化生长二维层状六方氮化硼的直接敷铜基板、IGBT芯片、快速恢复二极管芯片、底板、焊料层、键合引线、母线、塑料外壳以及二维层状六方氮化硼填充增强灌封硅胶。其中采用化学...
该专利属于黄山学院所有，仅供学习研究参考，未经过黄山学院授权不得商用。

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