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本发明公开一种半导体元件及其制作方法。制作半导体元件的方法包括：首先形成一浅沟隔离于一基底内，然后去除部分浅沟隔离以形成一第一凹槽，形成一遮盖层于第一凹槽内，形成一掩模层于遮盖层及基底上以及去除部分该罩层、部分该盖层以及部分浅沟隔离以形成一...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。