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本发明涉及一种六边形有序垂直耦合等离子体阵列及其制备方法和应用，所述方法如下：S1：选用双面抛光的未掺杂硅片/板作为衬底，组装聚苯乙烯颗粒，然后将聚苯乙烯颗粒转移至衬底上，在氧气气氛下进行等离子刻蚀；S2：在S1所述衬底上沉积贵金属膜，然后...
该专利属于肇庆市华师大光电产业研究院所有，仅供学习研究参考，未经过肇庆市华师大光电产业研究院授权不得商用。

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