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本发明涉及一种碳化硅功率器件终端结构的制造方法，所述方法包括：提供制备有主结的碳化硅衬底；于所述碳化硅衬底中形成临近所述主结的第一掺杂区；在所述第一掺杂区中形成沿远离所述主结的方向离子浓度依次递增的第一渐变区；基于同一结终端窗口，对所述第一...该专利属于深圳市太赫兹科技创新研究院;华讯方舟科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市太赫兹科技创新研究院;华讯方舟科技有限公司授权不得商用。