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一种制造垂直场效应晶体管的方法，包括在衬底(100)中形成第一凹槽(170)；从第一凹槽(170)的第一底部表面(190)外延生长第一漏极(400)；从形成在衬底(100)中的第二凹槽(175)的第二底部表面(195)外延生长第二漏极(60...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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