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本发明公开了一种沟槽结构肖特基半导体装置，为肖特基整流器件，在漂移层中设置反型区或在沟槽底部设置浮空结构，同时设置反型区或浮空结构远离漂移层表面，以此降低沟槽结构绝缘材料电场，提高器件可靠性，增加反向偏压下电场纵向变化，降低器件导通电阻。...
该专利属于朱江所有，仅供学习研究参考，未经过朱江授权不得商用。

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