温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开涉及一种梯形沟槽隔离的低容瞬态电压抑制器(TVS)结构，该集成型的半导体保护器件包括由衬底材料、外延层、N型掺杂和P型掺杂构成的半导体主体，其不同掺杂浓度构成的瞬态抑制二极管TVS和开关管均为纵向结构，其中TVS面积决定器件的通流...
该专利属于上海长园维安微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海长园维安微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。