下载绝缘体上硅衬底的制造方法的技术资料

文档序号:18734411

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本发明提供了一种绝缘体上硅衬底的制造方法,包括:在所述衬底的第一表面的边缘区域形成第一沟槽,所述第一沟槽贯穿所述锗硅层;在所述衬底的第一表面的边缘区域形成弹簧结构,所述弹簧结构贯穿所述锗硅层,通过去除所述锗硅层以形成埋氧通道;在所述埋氧通道...
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