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本发明涉及具有栅极高度缩放的半导体结构。本公开涉及半导体结构，并且更特别地，涉及具有栅极高度缩放的半导体栅极结构以及制造方法。该方法包括：用硬掩模材料形成至少一个虚设栅极结构；在至少一个虚设栅极结构的侧面上的源极和漏极区之上形成多种材料；去...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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