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本发明属于GaN薄膜制备方法技术领域，为了解决目前不能直接将非晶态SiO2 作为衬底生长GaN薄膜，衬底成本高、工艺复杂的问题，提供了一种在非晶态SiO2 衬底上生长GaN薄膜的方法。利用非晶态SiO2材料作为衬底，采用金属有机化合物化学气...
该专利属于太原理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过太原理工大学授权不得商用。

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