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本发明涉及太赫兹波发射装置，为提高纳米超材料对光电导天线性能的调制能力，实现增大光电流，提高天线的辐射功率和效率，同时减小飞秒激光在半导体中的趋肤深度，使载流子漂移运动方向更好的束缚在半导体表面。为此，本发明采用的技术方案是，砷化镓纳米柱阵...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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