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本发明涉及一种温度补偿薄膜电阻，包括衬底、SiNx薄膜、金属引线、氮化钽薄膜和氮化钛薄膜，所述SiNx薄膜设置于衬底上方，所述金属引线、氮化钽薄膜和氮化钛薄膜均设置于SiNx薄膜上方，所述金属引线设置于薄膜SiNx上表面两端位置，所述氮化钽...
该专利属于成都海威华芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过成都海威华芯科技有限公司授权不得商用。

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