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本发明涉及一种二维相变场效应晶体管及其制备方法，二维相变场效应晶体管包括多晶硅衬底层，多晶硅衬底层自下而上依次设置介质层、二维材料层和铁电材料层，二维材料层和铁电材料层之间还设置将它们部分分隔开的绝缘材料层，二维材料层两端分别设置A电极和B...
该专利属于上海电力学院所有，仅供学习研究参考，未经过上海电力学院授权不得商用。

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