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本发明公开了一种自对准接触孔的形成方法，包括步骤：采用硬质掩膜层定义形成浅沟槽结构的场氧；形成第一介质层；在凹陷结构的第一介质层的表面形成第二保护层；以第二保护层为自对准掩膜将第二保护层覆盖区域外的第一介质层和硬质掩膜层去除；形成栅极结构；...
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