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本发明公开一种耐高温永磁体预稳定处理方法，基于预稳定处理为局部退磁形成保护层的研究发现，尤其适用于永磁体处于半闭路或闭路的服役环境，其要点是：将永磁体的磁极吸附导磁体置于热处理炉中，在高于永磁体最高使用温度30℃～50℃的真空环境中保温2小...
该专利属于北京航空航天大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京航空航天大学授权不得商用。

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