温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种负电容场效应晶体管中抑制随机掺杂效应的建模方法。该方法提供了NC‑MOSFET的剖面结构，在传统MOSFET的金属栅极上添加一层氧化铪（HfO）作为铁电材料，实现负电容的集成制作。建立了NC‑MOSFET的串联等效电容模型，...
该专利属于杭州电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过杭州电子科技大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。