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一种具有表面应力调制结构的应变PMOSFET，属于半导体技术领域。包括半导体衬底、栅氧化层、栅极、源极、漏极和两个重掺杂区，半导体衬底上从下至上依次设置栅氧化层和栅极，两个重掺杂区设置在半导体衬底内并位于栅极两侧，两个重掺杂区分别为源区和漏...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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