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本发明涉及用于改善迁移率的具有应力材料的异质接面双极晶体管，根据本文中的半导体装置，该装置包括衬底。主动装置形成在该衬底中。该主动装置包括集极区、形成于该集极区上的基极区、及形成于该基极区上的射极区。隔离结构围绕该主动装置而形成在该衬底中。...
该专利属于格芯公司所有，仅供学习研究参考，未经过格芯公司授权不得商用。

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