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晶圆级异质集成高频系统及其制作方法技术方案
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文档序号:18670940
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本发明涉及一种晶圆级异质集成高频系统以及制作方法,至少包括第一衬底、第二衬底、绝缘键合层、至少两个芯片;其中:所述第二衬底、绝缘键合层、至少两个芯片设置于第一衬底、第二衬底之间,包括与所述第一衬底连接的第一芯片和与所述第二衬底连接的第二芯片...
该专利属于西安电子科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过西安电子科技大学授权不得商用。
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