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高压LED芯片制造技术
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文档序号:18662762
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本实用新型提供一种高压LED芯片,所述高压LED芯片包括衬底、第一芯片、第二芯片和连接电极。所述第一芯片设置于所述衬底,所述第一芯片包括垂直于所述衬底表面依次生长的第一N型半导体层、第一发光层和第一P型半导体层。所述第二芯片与所述第一芯片间...
该专利属于大连德豪光电科技有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过大连德豪光电科技有限公司授权不得商用。
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