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本发明属于锂离子电池技术领域，提供一种面向SiO2/C负极的表面修饰方法；本发明通过物理气相沉积(PVD)或者原子层淀积(ALD)的方法，在SiO2/C负极表面沉积一层锂离子导体缓冲层、位于SiO2/C负极与固体电解质之间；所述锂离子导体缓...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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