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本发明公开了一步光刻法制备金属氧化物半导体及介电薄膜的方法，将配制的溶液通过溶胶凝胶技术旋涂制备凝胶薄膜；将制备好的凝胶薄膜置于掩膜版之下，通过紫外光照射,其中氧化物半导体前躯体凝胶薄膜室温光照，氧化物介电前躯体凝胶薄膜置于热板上照射；将光...
该专利属于青岛大学所有，仅供学习研究参考，未经过青岛大学授权不得商用。

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