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本实用新型公开了一种通过物理气相传输法生长氮化铝单晶的坩埚装置，包括用于放置氮化铝粉源/氮化铝烧结体的坩埚本体、设于坩埚本体顶部的坩埚盖、设于坩埚本体中的位于坩埚盖下方的籽晶台、设于籽晶台下方的导流加热罩，导流加热罩沿远离籽晶台的方向向下逐...
该专利属于苏州奥趋光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州奥趋光电技术有限公司授权不得商用。

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