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一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法技术
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下载一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法的技术资料
文档序号:18621831
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本发明提供一种高频氮化镓/石墨烯异质结热电子晶体管的制备方法,属于半导体器件技术领域。该方法首先在GaN衬底上生长Ⅲ族氮化物三元合金材料形成异质结构作为发射区和第一势垒层,并在异质结上通过光刻技术生长电极;用离子刻蚀技术进行器件绝缘化;转移...
该专利属于北京科技大学所有,仅供学习研究参考,未经过北京科技大学授权不得商用。
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