专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
克里公司
>
大功率RF晶体管的嵌入式谐波端子制造技术
>技术资料下载
下载大功率RF晶体管的嵌入式谐波端子的技术资料
文档序号:18621806
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
半导体包括具有第一表面和相对面向的第二表面的半导体衬底。放大器设备形成在半导体衬底中,放大器设备被配置成在基本频率处放大RF信号。在衬底的第一表面上形成第一介电层。第一金属化层形成在第一介电层上。第一金属化层与衬底通过第一介电层间隔开。第一...
该专利属于克里公司所有,仅供学习研究参考,未经过克里公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。