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本发明公开一种CVD法碳化硅涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)启动沉积炉的加温箱，使温度达到100‑160℃；(2)将石墨基体放入沉积炉内的转盘上，然后带动石墨基体旋转；(3)对沉积炉内抽真空，再充入氩气；如此循环多次；(4)启动炉腔加热...该专利属于深圳市志橙半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市志橙半导体材料有限公司授权不得商用。
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本发明公开一种CVD法碳化硅涂层的制备方法，包括以下步骤：(1)启动沉积炉的加温箱，使温度达到100‑160℃；(2)将石墨基体放入沉积炉内的转盘上，然后带动石墨基体旋转；(3)对沉积炉内抽真空，再充入氩气；如此循环多次；(4)启动炉腔加热...