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本实用新型涉及晶体管技术领域，具体涉及一种IGBT封装结构，包括底板、焊接于底板上端的DCB层、焊接于DCB层上端的IGBT芯片，所述DCB层从下到上依次为铜层、陶瓷层、铝层，本实用新型通过设置底板及焊接于底板的DCB层，在DCB层上焊接芯...
该专利属于广东瑞森半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广东瑞森半导体科技有限公司授权不得商用。

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