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TFT装置从具有相互绝缘的狭长的半导体材料条带的基板开始制造。层的堆栈在该基板上的该条带上方，该堆栈包含栅极电极层。多层级抗蚀剂层提供于该栅极电极层上方。该多层级抗蚀剂层界定栅极和源极漏极区，信道在平行于该条带的方向运行。在该抗蚀剂层中的栅...
该专利属于荷兰应用自然科学研究组织TNO所有，仅供学习研究参考，未经过荷兰应用自然科学研究组织TNO授权不得商用。

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