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本发明涉及一种具有超晶格限制层的AlGaInP半导体激光器，从下至上依次包括衬底、下限制层、下波导层、量子阱层、上波导层、第一上限制层、第二上限制层和欧姆接触层；第一上限制层为高铝组分的AlGaInP材料与低铝组分的AlGaInP材料交替生...
该专利属于山东华光光电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山东华光光电子股份有限公司授权不得商用。

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