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本发明公开了一种高光提取效率的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述LED芯片包括导电衬底层和设置于所述导电衬底层上的金属键合层，所述金属键合层上设置有金属反射层以及设置于所述金属反射层上的p型GaN层，所述p型GaN层上设有InGaN/Ga...
该专利属于河源市众拓光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过河源市众拓光电科技有限公司授权不得商用。

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