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本发明涉及高控制力薄膜晶体管技术、柔性器件，为提出薄膜晶体管及其制造技术方案，所述晶体管有较好的性能以及较高的工作频率和较强的栅极控制力，在柔性集成电路的制作、智能穿戴以及光电器件领域具有广泛的应用前景。为此，本发明采用的技术方案是，锗纳米...
该专利属于天津大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津大学授权不得商用。

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