温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。
本发明公开一种半导体元件及其制作方法。首先提供一基底，并于基底中形成至少一沟槽。形成一导电材料填充沟槽后，移除部分导电材料至暴露出基底的上表面和沟槽的顶角和上侧壁。接着进行一掺杂制作工艺，以沿着基底的上表面、沟槽的顶角和上侧壁形成一倒L型的...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。