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一种氧化硅膜和氮化硅膜的表面处理方法，包括如下步骤：在真空腔室内，对第一混合气体进行第一次电离操作，得到第一等离子体，采用第一等离子体对基板上的氧化硅膜和氮化硅膜进行第一次刻蚀操作；第一混合气体为氧气和四氟化碳，第一混合气体进气口对应于基板...
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