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本发明公开了一种具有立体超结的金属氧化半导体场效功率组件及其制造方法。所述金属氧化半导体场效功率组件包含一第一金属层、一基底层、一磊晶层、多个第一沟槽井、多个第二沟槽井、多个基体结构层、多个多晶硅层及一第二金属层。每一第一沟槽井和所述磊晶层...
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