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本发明涉及一种基于三维复合漏极的GaN高电子迁移率晶体管，其结构自下而上依次包括衬底、缓冲层、势垒层，所述势垒层的上方自左向右依次平行设有源极、钝化层、肖特基漏极、欧姆漏极，所述钝化层的上方设有栅极；其特征在于：欧姆漏极靠近栅极的一侧设有三...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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